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冲击缓冲用磁流变阻尼器磁滞补偿控制器的电路设计文献综述

 2022-07-28 16:00:16  

冲击缓冲用磁流变阻尼器磁滞补偿控制器的电路设计文献综述

1 引言

磁流变阻尼器因为具有阻尼力可调、响应快速,输出阻力大等优点,目前正广泛应用于建筑、桥梁、车辆和机械等领域。冲击缓冲用磁流变阻尼器在抗冲击减振领域具有良好的应用前景,相比于传统冲击缓冲装置,其输出阻尼力可调可控,可以实现半主动控制,是一种智能型的冲击缓冲装置。

磁流变(MR)阻尼器是一种半主动控制装置,它只需要很小的能量输入就能调节和产生较大的阻尼力,克服了主动控制装置费用高、能耗大和装置复杂的缺点,非常适合在土木工程上应用。然而,由于磁流变液响应时间、磁路材料特性等因素的影响,使阻尼力的实现有一个时间过程,即MR阻尼器存在磁滞效应,并且随着磁场强度的增大而增大磁滞效应形成了控制过程中的时滞效应,将会严重影响控制效果。一般而言,结构允许的最大时滞决定于结构的自振周期与反馈增益,约为自振周期的20%左右。因此,当时滞与自振周期的比值超过20%时,控制就很难稳定【1】。 磁滞补偿控制器为消除或减小磁滞特性对系统的影响提供了一种技术手段和装置。

2磁流变阻尼器磁滞现象发展及研究现状

解决MR阻尼器磁滞效应的研究还很少,文献【2】采用电流驱动电源装置代替传统的电压驱动电源装置,通过并联线圈和增大电源所能达到的最大电压值缩短了磁滞时间.经过硬件处理后,会很明显地减小磁滞效应,但是整个系统的磁滞影响仍需要考虑。、

涂建维在《磁流变阻尼器的磁滞效应与神经网络预测调整》提出了用径向基函数神经(RBF)网络预测来调整磁滞效应.

2.1 RBF网络是一类非常有效的多层前馈网络,其神经元基函数具有仅在一位小局部范围内才产生有效的非零响应的局部特性,因而可以在学习过程中获得高速化.

2.2预测结构响应

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