C3N4/Co3O4纳米结的制备及其光催化性能研究文献综述
2021-10-08 18:53:51
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文 献 综 述1、研究背景及意义: 工业发展不仅给人类的生活带来了日新月异的变化,也给人类赖以生存的环境造成了巨大的污染危害。
【1】近年来,半导体材料催化氧化降解有机污染物成为科学工作者的研究热点。
作为p型磁性半导体,Co3O4由于其具有光催化性能而被研究。
而研究更高性能的Co3O4是具有现实意义的。
2、Co3O4光催化材料[2]【3】尖晶石钴氧化物(Co3O4)由于其在多相催化、磁性材料、锂电池、固态传感器和电化学设备等领域优秀的功能性为大家所熟知。
【4】最近,基于其适当的光学带隙,人们探索用它来作为可见光吸收的催化剂,尽管其效率仍然很低。
为了提高Co3O4的光催化效率,开发出了很多的方法,例如掺杂异质结合和扩大暴露面,其中后一种是新的方法。
光催化剂的反应性与暴露的表面有很大的关系,因此暴露更多的高反应面有助于反应性的提高,这也是发展新型光催化材料的一个关键问题。
氧化钛多晶型物的理论和实验研究表面,亚稳的{001}面锐钛矿比其他结构更具活性。
因此,更多地暴露{001}面有助于提高活性。
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