可见光响应型CoTiO3/TiO2纳米结材料的研究文献综述
2021-10-08 18:53:48
毕业论文课题相关文献综述
文 献 综 述
1.国内外研究现状
自1972年Fujishima和Honda[1]报道利用TiO2单晶电极光解水的实验结果以来,人们对半导体光催化剂TiO2在水处理中的应用进行了大量研究。在去除水中难降解污染物方面,半导体光催化剂具有强氧化性、污染物矿化完全,可直接利用太阳光等特点,有望成为一种新型的污水处理工艺。但是,TiO2光催化目前仍处于实验室阶段,在实际应用中仍存在很多困难,阻碍其应用的一个重要因素就是激发光波长的问题。由于TiO2半导体禁带宽度较宽为3.2 eV,其对应的波长为387 nm属于紫外光区,而紫外光只占到达地球表面太阳光的3%-4%,在太阳光谱中占绝大多数的可见光部分(能量约占45%)未得到有效利用[2]。因此,如何修饰TiO2使其能够响应长波长的可见光部分,高效利用太阳能成为目前TiO2光催化最具挑战性的课题。解决好了这一课题,TiO2将会有更为广阔的应用前景。目前,实现TiO2可见光催化的主要方法有金属掺杂、非金属掺杂、染料光敏化、半导体复合等。
2.TiO2光催化反应机理
目前,研究最多的光催化剂半导体材料为金属氧化物和硫族化合物,如TiO2、ZnO、CdS、WO3、Fe2O3、SrTiO3、SnO2等,这些半导体中TiO2、ZnO 和CdS 的催化活性最高,但ZnO、CdS 在光照射时不稳定,常因光阳极腐蚀产生Cd2 、Zn2 ,这些离子对生物有毒性[4]。相比之下,TiO2光催化材料具有很多优越性,其特点是:不发生光腐蚀,耐酸碱性好,化学性质稳定,对生物无毒性,来源丰富,能隙较大,光生空穴的电位为3.2 eV(vs.NHE),有很强的氧化性。当TiO2 被能量大于其禁带宽度的光照射时,光激发电子跃迁到导带,形成导带电子(e-),同时在价带留下空穴(h )。由于半导体能带的不连续性,电子和空穴的寿命较长,它们能够在电场作用下或通过扩散的方式运动,与吸附在TiO2粒子表面上的物质发生氧化还原反应。空穴能够同吸附在TiO2 粒子表面的OH-或H2O 发生作用生成OH。OH 是一种活性很高的粒子,能够无选择地氧化多种有机物并使之矿化,通常认为是光催化反应体系中主要的氧化剂。光生电子也能够与O2 发生作用生成HO2和O2-等活性氧类,这些活性氧自由基也能参与氧化还原反应。该过程如图1所示,可用如下反应式表示:
TiO2 hv→TiO2(e-,h ) (1)
e- h →heat or hv (2)
h OH ads→OH (3)
h H2O ads→OH H (4)
e- O2→O2- (5)
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