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电流退火对半金属锰氧化物磁电阻增强效应的研究文献综述

 2021-09-27 20:32:51  

毕业论文课题相关文献综述

磁电阻(MR)效应是指外加磁场导致电阻变化的现象,磁电阻通常表示为式中,R(0)、R(H)分别为零场和磁场下的电阻 [1]。

在诸如金属、合金及半导体等非磁性材料中,几乎都存在着磁电阻效应。

这是因为在外磁场的作用下,传导电子将发生偏转或作回转运动,散射截面增大,样品的电阻增大,从而具有正的磁电阻效应。

在磁性材料中,样品的输运性质与其磁化状态有关。

在无外磁场的情况下,磁矩之间的夹角比较大,电子的输运能力较弱,当加上外磁场后,磁矩之间的夹角变小,电子的输运能力变强,显现出负的磁电阻效应。

1988年A. Fert和P. Grnberg发现Fe/Cr多层膜中的巨磁阻(giant magnetoresistance, GMR)效应,并因此荣获2007年诺贝尔物理学奖。

GMR效应的发现,推动了自旋电子学的诞生。

1992年,Chen 和Berkowitz 又分别独立报道了Co-Cu金属颗粒膜中的GMR效应[2,3],它和多层膜中的GMR效应一样,都来自于传导电子自旋相关的散射。

随后在Fe/Al2O3/Fe隧道结[4]以及在Co(Ni)-SiO2颗粒膜[5]中发现了基于自旋极化的传导电子隧穿过绝缘势垒的隧道磁电阻(tunneling magnetoresistance, TMR)效应。

研究还发现在单晶或外延的掺杂锰氧化物中在很强的磁场下,在其金属绝缘体转变点附近还存在特大的磁电阻(colossal magnetoresistance, CMR)效应[6]。

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