搜索详情-文献综述网

注册

  • 获取手机验证码 60
  • 注册

找回密码

  • 获取手机验证码60
  • 找回

基于巨磁阻效应的编码器研究文献综述

 2021-09-27 00:15:14  

毕业论文课题相关文献综述

一、巨磁阻效应及自旋阀磁阻(GR)材料的电阻随着外加磁场的变化而变化,即电阻是外加磁场的函数,这种现象称为磁电阻效应,简称磁阻效应。

电阻率的变化△ρ=ρ(H)-ρ(0),其中ρ(H)和ρ(0)分别表示材料在磁场大小为H和零时的电阻率,其变化的大小可表示为MR=△ρ/ρ100%,其中ρ可以是ρ(0)或是ρ(H),为ρ(0)时,MR的最大值为100%,为ρ(H)时,MR可以超过100%。

通常材料的MR<5%。

[1]巨磁阻效应,即GMR(Giant Magneto Resistance),是指在磁性材料和非磁性材料相间的多层膜中,电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。

现出巨磁阻效应的多分子结构必须由至少两层铁磁层组成,同时它们之间有一层薄薄的非磁性层将它们隔开。

[2,3]当磁场增强时,电阻率下降,且温度越低,变化越大。

在为4.2K时,电阻率的变化率最大可达50%。

变化率的大小和饱和磁场Hs以及多层膜的结构(各层的厚度和层数)有关。

在室温条件下,多种多层膜的变化率可达11%左右。

实验也发现在一定结构下(Cu/Co)N多层膜也有大的磁电阻效应。

剩余内容已隐藏,您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付

课题毕业论文、开题报告、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。