搜索详情-文献综述网

注册

  • 获取手机验证码 60
  • 注册

找回密码

  • 获取手机验证码60
  • 找回

(K,Na)LaMgWO6:Eu荧光粉的制备及性能研究文献综述

 2021-09-27 00:08:42  

毕业论文课题相关文献综述

文献综述

1.前言

白色发光二极管(WhiteLightEmittingDidoes,WLED)是一种新型的高效光源,因其具有体积小、寿命长、响应快速,环保等特点,在全球范围内迅速崛起并且高速发展,已然成为21世纪引人瞩目的绿色光源,具有广阔的市场和潜在的照明应用前景。随着人类生活水平的提高,并且为了缓解全球能源资源的匮乏,白光LED将替代传统照明光源而成为第四代光源[1]。

有很多种实现白光LED的技术方案,但在相比之下,基于荧光粉转换产生白光的工艺简单、容易实现、效率高等特点,荧光粉转换法成为该研究领域的主流。然而现有的蓝光激发型白光LED红区发射欠缺,且黄光和蓝光的复合的光晕效应造成颜色偏离自然白光;近紫外激发的白光LED中红粉的发光强度仅为蓝粉与绿粉的八分之一,远远弱于绿粉和蓝粉。另外,红色荧光粉的化学稳定性和色纯度有待进一步的提高,所以其对白光LED的色温、显色性以及发光效率等关键性能指标有很大的影响[2]。因此,为了发展白光LED,对红色荧光粉的性能的研究是必不可少的。

2.白光LED简介

2.1LED发光原理

发光二极管(LightEmittingDiodes,LED)是一种能将电能转换为可见光的固态半导体器件。它的核心部分是由p型半导体和n型半导体组合而成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为p-n结(如图1-2所示)。图1-1为p-n结的原理图。图1-1-(a)表示出了热平衡状态下p-n结的能带。其中V代表价带,EF代表费米能级,D代表施主能级,A代表受主能级,Eg代表禁带度。在n区导带上,实心点为自由电子。在p区价带上,空心点为自由空穴。在n区导带底附近存在浅施主能级D,由于施主电离后能够向导带提供大量的空穴。因此,在n区中的多数载流子为电子。同样,在p区,浅受主能级A的电离将会向导带提供大量空穴。所以,P区的多数载流子为空穴。在热平衡状态时,n型区和p型区的费米能级是一致的。图1-1-(b)表示向p-n结施加正向电压时,会导致p-n结势垒降低,从而出现n区电子注入到p区,p区空穴注入到n区的非平衡状态。被注入的电子和空穴成为非平衡载流子(又称少数载流子)。在p-n结附近,当少子与多子复合时,将把多余的能量以光的形式释放出来,即可观察到p-n结发光[3,6]。

(a)热平衡状态下p-n结的能带图(b)正向偏压下p-n结的能带图

图1-1P-N结原理示意图

图1-2P-N结结构示意图

2.2白光LED的实现途径

白光是一种混合光,用最简单的三基色按一定的比例混合即可获得。白光LED的实现途径主要分为两大类[4]:PC和MC。PC(phosphorsconverted)是指荧光粉转换,而MC是指多芯片组合,即三基色RGB合成。另外还有一类:单芯片多量子阱型,即同一个LED芯片通过异质节的直接键合发出多色光形成白光[5]。而实现白光LED的方法主要是(如图1-3所示):

剩余内容已隐藏,您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付

课题毕业论文、开题报告、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。