毕业论文课题相关文献综述

文献综述

一、研究背景以及研究意义：

目前大多数信号检测系统的结构是分布式结构，它的底层是以单片机为核心的智能仪表单元，从而实现数据信号采集，上层是一个工业PC机，用工业PC机去实现数据记录任务，PC机和智能仪表之间通过总线的方式相连。这样就导致了系统设备庞大，设备、安装、维护成本比较昂贵，还具有底层检测单元的人机交互界面不够又好的缺点。而且数据分析小屋不能离工业现场太远，导致工作人员处于恶劣的工作环境下。随着检测手段的增多和检测精度的提高，数据量的急剧增加会严重加大总线系统的负担，导致错误率增高。通过总线的方式传输检测到的数据风险大于使用嵌入式系统存储模块，当总线传输线路出现故障，挂在总线上的所有的检测到的数据都无法传送到上位机，并且传统的检测单元无法存储庞大的数据量，因此而产生数据量丢失的风险。

由于嵌入式系统的发展，设计一款性能优异、成本低廉、功能强大的数据采集记录系统将会成为现实。嵌入式系统是以特殊的功能应用为核心，以计算机技术为基础，具有软件和硬件裁剪修改方便的特点的一种智能化产品。目前信号检测手段众多，检测精度比较高，导致所检测出来的数据量急剧增加，使得嵌入式系统里面的数据存储技术也逐渐成为人们关注的焦点。数据存储的可靠性、快速性、存储的容量、功耗、成本等等也成为了一个嵌入式产品的重要性能指标之一。由于嵌入式产品要求系统断电后仍然可以继续保存一些重要的数据，并且Flash具有存储容量大、使用寿命长的特点，因此常被用于数据的存储，被广泛应用于嵌入式存储模块中。高速数据采集存储系统目前在雷达、图像处理、声呐、通信等领域有着广泛的应用。

二、FLASH存储的简介以及拟采用芯片M25P16的简介

FLASH闪存的英文名称是"FlashMemory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件里面的一种，是一种不挥发性（Non-Volatile）内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

日本的东芝公司首先提出了快速闪存的概念。英特尔则是第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年英特尔公司推出了256KbitNORFlash闪存芯片。另外一种闪存芯片称之为NANDFlash闪存的由东芝在1989年研制。NANDFlash与NORFlash相比，NANDFlash具有更短的写入周期，更快的保存和删除处理速度，所以NANDFlash具有更广泛的应用。目前除了东芝和三星外，Hynix、英飞凌、瑞萨等大厂商也在生产NANDFlash闪存。

NAND闪存的存储单元采用串行结构，其存储单元的读写是以页和块为单位进行的（一页包含有若干个字，一个块包含有若干个页，一般一个块的容量是832KB）。这种结构的特点是容量可以做的很大，NAND闪存的成本很低，有利于大规模普及。但是NANAD也具有读取速度慢的特点，它的I/O端口只有8个，比NOR要少很多。NAND闪存的逻辑是电子盘模块结构，没有专门的存储控制器，因此一旦出现数据块损坏将无法修复，其可靠性比NOR差。

M25P16存储芯片的主要特点：

（1）2M字节的存储空间，分32个扇区，每个扇区256页，每页256字节；