毕业论文课题相关文献综述

文 献 综 述1碳化硅材料概述SiC是一种人工合成的强共价键型碳化物，是一种新型的工程陶瓷材料。

碳化硅陶瓷因具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。

在航天航空、电子、化工等领域有着广泛的应用。

另外，碳化硅陶瓷被认为在高温结构部件等方面有巨大的发展潜力，是先进热机、热交换器、高强耐磨器件的潜在候选材料，受到国内外许多学者的高度重视[1-3]。

然而，SiC纳米粉体粒径小、表面能高、易团聚，很难实现均匀分散。

所以，通过表面改性改善SiC纳米粉体的表面状态，降低表面活性，提高分散性及固相含量和粉体的流动性是至关重要的。

1.1碳化硅的热膨胀系数和导热系数碳化硅是在高温下制成的。

其制品也多是在高温下制成或者在高温下使用。

因此，了解碳化硅的热膨胀系数很有必要。

如果只作较粗略计算时，碳化硅的平均热膨胀系数在25～1400℃范围内可以取4.410-6/℃。