文献综述
金属卤化物钙钛矿于1893年被H.L.WELLS.首次报道[1],但直到20世纪90年代,科研工作者开始将其作为发光层制备发光二极管(LEDs)以及作为沟道层制备场效应晶体管并初步研究器件性能,金属卤化物钙钛矿开始引起研究者们的关注。
直到2009年,Tsutomu Miyasaka课题组将有机铅基卤化物钙钛矿作为新型的光敏化剂制备光伏电池,获得了3.8%的能量转换效率,有机铅卤化物钙钛矿开始展露头角[2]。
近年来,钙钛矿材料的研究得到了飞速发展,钙钛矿太阳电池的认证效率已经达到25.5%,已然成为目前光伏领域研究最为耀眼的明星.在发光领域,将钙钛矿材料作为发光层制备的深蓝光、蓝光、绿光、红光、近红外光、白光LEDs的外量子效率(EOE)分别达到了5.5%,12.8%、23.4%、21.3%、22.2%和12.2%。
钙钛矿LEDs器件性能的大幅度提升有望推动其在下一代低成本、高性能显示和照明领域的应用。
随着纳米技术的快速发展以及科研工作者对纳米晶材料领域的不断深入研究,金属卤化物钙钛矿纳米晶(PeNCs)应运而生。
PeNCs的合成方法简单、表面性质调控方式丰富、具有优异的光学性能,例如荧光量子产率(PLQY)高,发光色度纯、光谱易调节、色域广等[3]。
基于这些优异的性能,金属卤化物PeNCs已应用于光电领域的各个方向,例如,金属卤化物PeNCs 作为光吸收材料制备太阳电池[4];作为背光材料制备下转换LEDs[5],作为光敏通道层制备光电晶体管[6];作为光吸收层制备光电探测器[7];作为表面发光层制备激光[8];作为X射线敏感层制备闪烁体[9];作为发光层制备电致LEDs等。
目前钙钛矿光电子器件,大多基于钙钛矿多晶薄膜。
多晶材料不可避免地会产生晶界缺陷,导致复合中心、光电流迟滞效应和稳定性问题,这使得光电子器件的性能改善遇到瓶颈。
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