摘要
氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带直接带隙半导体材料，具有优异的光电性能、化学稳定性和低成本等优点，在透明导电薄膜、太阳能电池、气敏传感器等领域有着广泛的应用前景。
然而，ZnO薄膜的电学和光学性能受到其本征缺陷和低载流子浓度的限制。
为了克服这些限制，共掺杂被认为是提高ZnO薄膜性能的一种有效策略。
本文综述了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备方法及其性能研究进展。
首先介绍了ZnO和透明导电氧化物(TCO)的基本概念，以及Sn-Al共掺杂ZnO的优势；其次重点概述了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备方法，包括磁控溅射、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积等，并比较了不同方法的优缺点；然后详细介绍了Sn-Al共掺杂对ZnO薄膜结构、光电性能以及气敏性能的影响，并对相关机理进行了探讨；最后展望了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的未来发展方向。
关键词：氧化锌；透明导电氧化物；共掺杂；薄膜；性能
1.1透明导电氧化物透明导电氧化物(TransparentConductiveOxide,TCO)是一类在可见光范围内具有高透光率(＞80%)和高导电性(电阻率低于10-3Ω·cm)的金属氧化物材料。
1.2氧化锌薄膜氧化锌(ZnO)作为一种II-VI族直接宽禁带半导体材料，其室温禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远高于GaN(25meV)的激子束缚能，这意味着ZnO在室温下就可以实现激子发光，在光电子器件领域具有巨大的应用潜力。
1.3Sn-Al共掺杂ZnO薄膜为了进一步提高ZnO薄膜的电学和光学性能，共掺杂被认为是一种有效策略。
共掺杂是指在ZnO薄膜中同时引入两种或多种不同的掺杂元素。
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