文献综述
一、研究背景自人类进入电气时代以来，人们为了满足储存电能的需要发明了蓄电池技术。
蓄电池与我们生活中的方方面面都有着密切的关联，例如目前市场上的铅酸蓄电池，铅酸蓄电池是国民经济的重要组成部分，与工业、通信、交通、金融、国防军工、航海航天、新能源储能和人民日常生活等方面的发展与利益密切相关，在经济和国防建设事业中发挥着不可或缺的重要作用。
但随着人们对电能的开发与利用程度的增加，蓄电池的容量越来越大，随之而来的就是电池的充放电速率问题，于是人们开始研究快充技术。
一种高效且安全的充电方式对于改善人民生活、加快社会的和谐发展有着重大的意义。
二、国内外研究现状1. GaN半导体随着微电子技术的发展，传统的Si半导体器件性能已接近其材料的理论极限。
从最早的20世纪70年代末期国际整流器公司生产的IRF100型Si MOSFET，到现在由英飞凌公司生产的耐压值为100V的Si MOSFET IPB025N10N3G，其导通电阻已经由前者的100mOmega;下降至2.5mOmega;，Si功率器件的性能已经无法大幅度改进。
而以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体材料具有比Si材料更优异的特性，其工作温度更高、击穿电压更大、改观频率更快，更适合制备高性能电力电子器件。
近年来，在GaN基高电子迁移率晶体管方面有诸多研究成果。
然而即便GaN晶体管层出不穷，且在高频高压领域有应用潜力，但由于器件性能以及应用频率的不断提高，传统的Si器件驱动电路在高频下损耗过高，已不能满足GaN器件的使用。
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